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    硅碳棒在使用時生成的薄膜

    硅碳棒在使用時生成的薄膜

    發布日期:2019-12-12 作者: 點擊:

    硅碳棒.jpg

      硅碳棒在使用中因表面氧化生成二氧化硅薄膜,使用時間長后,硅碳棒的阻值隨著二氧化硅薄膜的增加而增大。在結晶臨界點(270℃)附近發生異常的sio2膜的膨脹和收縮。由于間歇式爐中使用的間歇總是在這個溫度下浮動,所以二氧化硅薄膜不斷破碎,加速氧化。因此,當停電爐溫度降至室溫時,電阻往往急劇增大。如果硅碳棒的阻值不同,高阻硅碳棒的負載在串聯過程中更加集中,可能導致硅碳棒的電阻迅速增大,壽命縮短。硅碳棒一般采用串并聯方式連接。建議先用2個串聯成一組,再用2個并聯成多組。特別是當爐內溫度超過1350℃時,必須并聯。三相連接時建議采用開三角形連接。

    本文網址:http://www.cubiccollective.com/news/456.html

    關鍵詞:硅碳棒

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