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    解析硅碳棒的阻抗

    解析硅碳棒的阻抗

    發布日期:2021-07-17 作者: 點擊:

           由于采用高純氫作為陽極氣體,陽極極化可以忽略不計,EIS的變化可以認為是由于陰極雜質氣體的引入引起的。

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           與頻率無關的總歐姆阻抗是碳化硅棒各部分的歐姆阻抗之和,包括薄膜、催化層、氣體擴散層(GDL)、流場、端板電阻以及它們之間的接觸電阻。從圖8可以看出,不同雜質氣體濃度的碳化硅棒的歐姆阻抗與純空氣的歐姆阻抗幾乎相同,在16-18mw之間。引入Soz后,電弧半徑明顯增大,說明電化學阻抗的增大不是歐姆阻抗變化引起的。

           這種類似于半圓的電弧與陰極雙電層充電過程中的電容C和電荷轉移阻抗r有關。一般來說,當引入so2時,SiC棒的電化學阻抗增大,性能降低。濃度越高,性能退化越明顯。Soz會吸附在電極上。當吸附速率和解吸速率達到平衡時,碳化硅棒的電壓將下降到一個平臺。

           當溫度降低時,由于爐外空氣迅速冷卻,爐內溫度緩慢下降。這時,外面想急劇收縮,但里面收縮不那么快,這也會產生熱應力。碳化硅和硅鉬棒是逐漸加熱和冷卻的,它們的強度比玻璃大得多,所以不會像玻璃那樣開裂,但也會有一定的效果,比如表面的二氧化硅保護膜破裂。


    本文網址:http://www.cubiccollective.com/news/481.html

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